GaN (нітрид галію) – це новий напівпровідниковий матеріал третього покоління. Транзистори з нітриду галію можуть зберігати працездатність при вищих температурах і напругах, високо ефективні та стабільні у роботі. Зарядний пристрій має невеликі розміри, легку вагу та більш високу перетворювальну потужність, ніж звичайні зарядні пристрої. Зарядний пристрій Essager GaN 45W – яскравий приклад компактної зарядки з кількома виходами та невеликим нагріванням. Для підключення пристроїв передбачені вихід USB-A, так і USB-C вихід. Саме GaN один з найпопулярніших зарядних пристроїв, що набирають популярність. Унікальна технологія GaN Essager GaN 45W це потужний та надкомпактний зарядний пристрій з портами USB-C та USB-A. Зарядний пристрій Essager GaN 45W підтримує технології заряджання GaN, USB-C PD 3.0 та PPS для забезпечення безпеки пристроїв. І може заряджати на високій швидкості без ризику перегріву чи перезарядження. ЗАХИСТ ПРОЦЕСУ НА ВСІХ РІВНЯХ Для безпеки Ваших гаджетів у пристрій вбудовано 6 рівнів інтелектуального захисту: від перевантаження по силі струму, перезаряджання, перегріву, перевантаження, різних перенапруг, коротких замикань. Мережевий адаптер Essager GaN 65W пройшов тести безпеки та має сертифікати: CE, FCC, RoHS.